专利名称：利用微纳光纤进行直写光刻的方法

技术领域：

本发明属于微纳加工技术领域，尤其涉及一种利用微纳光纤进行直写光刻 的方法。

背景技术：

现在科技的发展对微米级别尤其是亚微米级别的加工技术有迫切的需要，

比如集成电路的制造、微纳光子学器件的制造、高密度存储设备的制造、MEMS 器件的制造。

目前的几种微纳加工技术有各自的优势，但是也都不可避免的存在不足之 处。目前集成电路所用的光刻工艺虽然能加工出几十纳米的特征尺寸，但是它 主要是靠不断的减小曝光光源的波长来提高分辨率，这对光源以及整个光学系 统提出了极高的要求，这种技术需要极大的资金投入，所以主要掌握在少数的 国际大公司手里。激光直写是一种简单灵活的加工方法，但是主要受衍射极限 的限制，分辨率很难达到1微米以下。电子束直写虽然分辨率高但是需要购买 昂贵的电子束曝光设备，电子束曝光的步骤相对比较繁琐，另外它的曝光范围 也被限制在一个很小的区域内。