浅沟道隔离（Shallow Trench Isolation，STI）是微电子领域中一种重要的隔离技术，其主要应用于实现高密度的隔离，特别是对于深亚微米器件和高密度存储电路如动态随机存取存储器（DRAM）等。

STI技术的显著特点在于其能够提供高密度的隔离，同时，相比于其他隔离技术，其对热预算的要求较低，适合于微电子器件的制造过程。通常，STI技术在器件制作之前进行，以确保在后续工艺过程中，器件间的电性隔离得到充分保障。

STI技术的工艺步骤相对复杂，具体流程如下：首先，类似于局部氧化隔离（LOCOS）工艺，依次进行SiO2的生长、Si3N4的沉积、光刻胶的涂敷，并通过光刻过程去除场区的SiO2和Si3N4。接着，利用离子刻蚀技术在场区形成浅沟槽，随后，进行场区注入，以便在后续填充沟槽时能够形成良好的绝缘层。紧接着，采用化学气相沉积（CVD）方法填充沟槽，以形成一层SiO2绝缘层。最后，通过化学机械抛光（CMP）技术去除表面的氧化层，使硅片表面达到平整化。

尽管STI技术在实现高密度隔离和低热预算方面具有明显优势，但其工艺流程复杂，包括回刻和CMP等步骤，对设备和操作要求较高。因此，熟练掌握STI技术的工艺细节和操作方法对于微电子器件的设计和制造具有重要意义。

扩展资料

STI是英文 Subaru Tecnica International 的简称，成立于1988年4月。 STI隶属于 日本富士重工责任有限公司（Fuji Heavy Industries Ltd，简称FHI），其作用是负责支援斯巴鲁（Subaru）参与的全球汽车赛事。其中“世界汽车拉力赛（World Rally Championship，WRC）”更加是STI的主要舞台。斯巴鲁WRX的比赛专用发动机，全部由STI组装及调校，然后再运送到其英国的赛车总部SWRT。