N型半导体中电子为多数载流子，空穴为少数载流子，这在P型半导体中恰好相反。当他们形成PN结时，N区中的电子和P区中的空穴分别向对面扩散，相遇则发生中和，也就是载流子耗尽，最终在PN结中部形成耗尽区，在平衡状态下耗尽区中的自由载流子浓度很低。